业界瞩目!SK海力士公布321层NAND闪存的最新发展成果

【ITBEAR科技资讯】8月9日消息,近日,韩国半导体制造巨头SK海力士在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“2023闪存峰会”上宣布了令人瞩目的技术突破。据了解,SK海力士公布了其最新研发的321层1TB
TLC 4D NAND闪存的进展情况,并展示了目前开发阶段的样品。

作为业界领先者,SK海力士成为首家披露300层以上NAND技术进展的公司。该公司表示,他们将在238层NAND的基础上进一步推进321层NAND的研发,旨在在2025年上半年开始量产。据SK海力士相关负责人透露:“我们在已经量产的238层NAND的技术积累上,有序地推进着321层NAND的研发工作,为即将到来的300层NAND时代做好充分准备,继续引领市场潮流。”

业界瞩目!SK海力士公布321层NAND闪存的最新发展成果

这项新技术的优势在于,相比上一代的238层512Gb NAND,321层1TB TLC
NAND的效率提升了59%。这一成就得益于数据存储单元的更多堆叠,使得在同一芯片上实现了更大的存储容量,同时也提高了每个晶圆上芯片的产出数量。

据ITBEAR科技资讯了解,随着生成型人工智能市场的不断蓬勃发展,对于高性能、高容量存储器的需求也在迅速增加。在这次峰会上,SK海力士还推出了面向这些需求的下一代NAND产品解决方案,其中包括采用PCIe
5(Gen5)接口的企业级固态硬盘(eSSD)和UFS 4.0。这些产品将提供世界级领先性能,以满足追求高性能的客户的需求。

此外,SK海力士还表示,基于目前的产品技术积累以及不断优化的企业内部解决方案,他们正在积极研发下一代PCI 6.0和UFS
5.0产品,旨在未来继续引领市场趋势。

SK海力士NAND闪存开发担当副社长崔正达在他的主题演讲中表示:“通过开发第五代4D NAND
321层闪存产品,我们将进一步巩固品牌在NAND技术领域的领先地位。公司将致力于推出适应人工智能时代需求的高性能、大容量NAND产品,继续引领行业的发展。”

© 版权声明

相关文章

暂无评论

您必须登录才能参与评论!
立即登录
暂无评论...